IBMとSamsungが半導体の設計に関する新たなアプローチ「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）を開発したことを発表しました。 半導体の設計を既存のものから抜本的に変更し、２倍の高パフォーマンス、かつ85％offの低エネルギー消費を実現できるとのことです。
これにより、2021年に崩れると言われていた半導体の高度成長の法則「ムーアの法則」を維持し、半導体が高度成長を続けることができる可能性があるとしています。
配信元：https://www.itmedia.co.jp/news/articles/2112/16/news071.html
